Китайські вчені представили найшвидший у світі носій флеш-пам’яті

Вчені з Китаю створили новий рекорд для напівпровідникових накопичувачів – пристрій флеш-пам’яті PoX, який здатний зберігати дані зі швидкістю один біт за 400 пікосекунд. Це енергонезалежний тип пам’яті, який перевершує навіть найшвидші сучасні енергозалежні технології. Порівняно з SRAM і DRAM, які потребують від 1 до 10 наносекунд для запису одного біта, PoX може бути швидшим в 2,5 рази. Дослідники використовували алгоритми штучного інтелекту для оптимізації тестування та розвитку технології. Зараз команда працює над перетворенням пристрою на комерційний продукт. Результати дослідження були опубліковані в журналі Nature.